El nuevo chip 4GB LPDDR3 móvil DRAM permite niveles de rendimiento comparables a la DRAM estándar utilizados en ordenadores personales, y por lo tanto se adapta mejor a las exigencias multimedia de los dispositivos móviles de última generación, como los smartphones o las tabletas.
"El chip proporciona una memoria para móviles más eficiente, de última generación y con una capacidad de datos muy grande, lo que permite a los fabricantes de equipos presentar diseños más innovadores en el mercado", aseguró el vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria de Samsung Electronics, Young-Hyun Jun, en un comunicado.
"Nuestros chips de 20nm y 4 Gb móvil DRAM es otro ejemplo de nuestra capacidad de ofrecer memoria bien diferenciada y de alto rendimiento, de alta densidad para los clientes en el momento oportuno", concluyó Jun.
El chip puede transmitir datos a velocidades de hasta 2.133 Mbps, más del doble de rendimiento del anterior estándar de memoria móvil DRAM (LPDDR2). En comparación con los ya existentes chips 30nm LPDDR3 DRAM, el nuevo dispositivo genera más de una mejora del 30 por ciento en el rendimiento y el 20 por ciento de ahorro en el consumo de energía.
El poco grosor del chip le permite adaptarse a los terminales sin dificultades y sin ocupar mucho espacio. Las baterías acostumbran a ser cada vez más grandes y por ello un chip fino contribuye a que la estructura del teléfono no se agrande demasiado. Samsung planea aumentar la producción de su DRAM móvil en 20nm a finales de este año.
El mercado en el que Samsung pretende enmarcar esta novedad es cada vez más importante ya que, según la firma de investigación Gartner, se prevé que el mercado de DRAM crezca un 13 por ciento año tras año para llegar a los 29,6 millones de dólares (23 millones de euros) en EEUU en 2013.