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Empresas de Japón y EEUU se unen para desarrollar MRAM, la memoria universal

Actualmente existen dos tipos distintos de memoria en nuestros dispositivos: DRAM y Flash. Este proyecto pretende crear un sucesor para ambas.

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Existen ya chips de MRAM de hasta 16 megabytes de capacidad. | Everspin

Las memorias DRAM son las que generalmente identificamos con el término "memoria" en móviles, tabletas y ordenadores. Son muy rápidas, pero su contenido desaparece cuando dejan de recibir corriente eléctrica y como necesitan de la electricidad para mantener su estado consumen bastante energía, sobre todo para las necesidades de los dispositivos móviles. Por otro lado, la memoria Flash es la que se emplea en las tarjetas de memoria, en el almacenamiento de los dispositivos móviles. Es más lenta, pero no requiere de alimentación constante y sus contenidos permanecen guardados de forma permanente, con o sin energía. La solemos identificar más con el término "almacenamiento" o incluso "disco duro", ya que en muchos dispositivos ejerce la misma función que éstos.

Sin embargo, existe desde los años 90 una tecnología llamada MRAM que muchos creen que está llamada a sustituir a ambos tipos de memoria. Es un sistema de almacenamiento magnético heredero de los viejos núcleos de ferrita, el sistema de memoria empleado antes de los chips y que aún permanece en símbolos como el escudo de la Facultad de Informática de la Universidad Politécnica de Madrid. Cada bit se almacena en estas memorias con dos minúsculos discos ferromagnéticos. Uno de ellos permanece estable, mientras que el otro puede cambiar su polaridad. Si ambos discos tienen la misma polaridad se considera que el bit está a 1, mientras que si la tienen distinta estará a 0.

El avance continuo en velocidad y capacidad de otros tipos de memoria ha relegado hasta ahora a la MRAM a pequeños nichos de mercado. Pero la necesidad de reducir la energía consumida por los dispositivos móviles ha llevado a cerca de 20 fabricantes japoneses y estadounidenses de semiconductores a unirse para desarrollar este nuevo tipo de chips de memoria con el objetivo de sustituir las voraces memorias DRAM, según afirma el diario Nikkei y recoge la agencia EFE. Las empresas que participan en el proyecto quieren mejorar y estandarizar la tecnología MRAM, que creen que podrá ofrecer hasta 10 veces más velocidad y capacidad que DRAM pero con un tercio del consumo.

Por el lado japonés, participarán las principales empresas del sector, tales como Hitachi, Renesas Electronics o Tokyo Electron, tercer fabricante mundial, mientras que por parte de Estados Unidos figurarán también algunas de sus mayores firmas, entre ellas Micron Technology, el segundo mayor productor de chips DRAM. Según el diario, cada empresa enviará próximamente personal de sus equipos de investigación a la universidad de Tohoku, al noreste de Japón, donde se espera comiencen el desarrollo de estos nuevos modelos de memoria a partir de febrero.

Con este proyecto, las empresas esperan acelerar la comercialización de estas memorias MRAM, en desarrollo desde los años 90, y ante el reto de que se puedan producir en masa para 2018. Al margen de esta sinergia de empresas, otras firmas como la japonesa Toshiba se encuentran actualmente trabajando en su desarrollo con la surcoreana SK Hynix, en una carrera tecnológica en la que también compite el gigante Samsung Electronics. Motorola fue la primera en desarrollar esta tecnología y la división encargada de ello es ahora una empresa independiente llamada Everspin que comercializa este tipo de memorias.

El desarrollo de este tipo de memorias podría, de hecho, permitir algo más que el cambio de unos chips por otros. Hipotéticamente, ordenadores, tabletas y teléfonos podrían dejar de emplear distintos tipos de almacenamiento y optar por un único sistema de memoria para todo, lo que supondría un gran ahorro y a su vez un cambio notable en el modo en que están diseñados los sistemas operativos de estos aparatos.

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