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Los móviles de gama alta tendrán pronto 512 GB de memoria gracias a Samsung

La multinacional coreana ha anunciado el inicio de la producción de la solución almacenamiento flash universal integrada (eUFS) de 512 GB y 64 capas.

LD/Agencias
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Los coreanos esperan que los próximos móviles de gama alta incluyan estos chips de memoria y se olviden de tarjetas microSD. | Samsung

La solución de almacenamiento eUFS de 512 GB, enfocada a los terminales premium, emplea la tecnología V-NAND, una estructura cilíndrica vertical, en este caso de 64 capas superpuestas, que incrementa la capacidad de almacenamiento, y permite guardar, por ejemplo, hasta 130 vídeos 4K Ultra HD de 10 minutos de duración. La unidad presenta un nuevo sistema de gestión de energía, lo que hace que consuma menos, pero también incrementa la velocidad de los procesos de mapeado.

La nueva solución permite "superar las limitaciones potenciales de rendimiento del sistema que pueden aparecer con el uso de tarjetas microSD", según explica el vicepresidente ejecutivo de Memory Sales & Marketing de Samsung, Jaesoo Han, en un comunicado. Según la compañía, esta unidad alcanza velocidades de lectura y escritura de hasta 860 y 255 MB por segundo, respectivamente. Asimismo, permite transferencias a una unidad SSD hasta ocho veces más rápidas que una tarjeta microSD normal, lo que equivaldría a la transferencia de un vídeo Full HD de 5GB en seis segundos.

Samsung ha iniciado la producción en masa de su solución eUFS de 512 GB, y se espera que esté presente en la próxima generación de dispositivos móviles con especificaciones premium.

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