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Intel, Toshiba y Samsung investigarán cómo fabricar chips aún más pequeños

El Gobierno japonés subvencionará con aproximadamente 45 millones de euros un proyecto liderados por Intel, Toshiba y Samsung para desarrollar la tecnología que permita producir microchips con un tamaño de 10 nanómetros por cada transistor.

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El Gobierno japonés subvencionará con aproximadamente 45 millones de euros un proyecto liderados por Intel, Toshiba y Samsung para desarrollar la tecnología que permita producir microchips con un tamaño de 10 nanómetros por cada transistor.
Oblea fabricada en Irlanda con microprocesadores Itanium 2. | Intel

Cuando se habla de nanómetros al referirse a la producción de circuitos integrados o chips, se refiere al tamaño que ocupa un transistor, que es el "ladrillo" con el que se construyen estos ingenios electrónicos. A menor tamaño, si todo lo demás permanece constante, el chip resultante será más pequeño (claro), con menor consumo y más rápido. No obstante, suele aprovecharse para aumentar el número de transistores del circuito, lo que en un chip de memoria se traduce en una mayor capacidad. Actualmente, la mejor tecnología disponible permite construir chips con un tamaño de 22 nanómetros por transistor.

Según explica Reuters, los dos principales fabricantes de memorias –Toshiba y Samsung– y el número uno en microprocesadores, encabezarán un consorcio que permita desarrollar para 2016 la tecnología que permita fabricar chips empleando sólo 10 nanómetros. El Ministerio de Economía, Comercio e Industria japonés aportará 5.000 millones de yenes, aproximadamente la mitad de lo que se estima que costará el proyecto. El consorcio ha invitado a otras 10 empresas de electrónica a participar en el proyecto.

La carrera por hacer transistores cada vez más pequeños ha llevado a un grupo de investigadores a construir uno empleando sólo siete átomos, lo que supone un tamaño de 4 nanómetros. Hewlett-Packard, por su parte, está investigando un posible sucesor del transistor llamado memristor, un componente que podría ocupar sólo 3 nanómetros y ser apilable. Los transistores se imprimen en una superficie, mientras que los memristores podrían aprovechar las tres dimensiones.

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